​一、依國科會114年12月11日科會工字第1140086840號函辦理。

二、本案摘要申請內容如下：

(一)規劃研究項目及應用項目：

１、​前瞻材料開發：本分項將專注於新世代化合物半導體材料(GaN-on-X、Ga₂O₃、Diamond、SiC)等基板與磊晶技術強化，建立具高穩定度與高均勻度之材料生長能力，並奠定後續元件製程與模組開發所需的材料基礎。

２、前瞻高頻元件及模組：本分項將聚焦於高頻化合物半導體元件與高功率密度功率放大器及前端模組研發，製作於GaN-on-X 及其他新興材料基板，專注於E-band 的相關技術(71–76, 81–86 GHz)之研發，逐步提升元件操作頻率、功率密度、線性度與高頻封裝整合能力，以支援下世代衛星通訊先進應用。

３、前瞻高壓元件、模組與系統應用：本分項旨在研發高壓與高可靠度化合物半導體元件與模組技術。透過材料、元件結構、製程、封裝與驅動電路的協同優化，建構能應用於高電壓、高電流、高溫與高功率密度環境的關鍵元件與系統，以支撐未來運具電動化、智慧電網與再生能源的成長需求。

(二)總計畫與子計畫之主持人與共同主持人資格必須符合國科會補助專題研究計畫作業要點之規定。

(三)​本計畫以單一整合型計畫為限，每一整合型計畫之總計畫及所有子計畫全部書寫於一份計畫書，子計畫應為三個(含)以上，最多以不超過六個為原則。總計畫主持人須同時主持 1 項子計畫，各主持人應實質參與研究，計畫書應詳實註明各主持人負責之研究主題，整合之計畫需有整體明確的目標，並由總計畫主持人之服務機關提出申請。

(四)計畫每年度申請總額度以不超過新台幣2,000 萬元為原則，本專案之總計畫及子計畫主持人，國科會得核給研究主持費最高每個月新台幣30,000 元，於計畫執行期間僅得支領 1 份研究主持費，同一執行期限若同時執行 2 件以上，以最高額度計算。

(五)本計畫申請人應規劃三年(115年6月1日至118年5月31日止)，經審查通過獲補助之研究計畫，採分年核定多年期計畫。

(六)本計畫申請案全面實施線上申請，各類書表請務必至國科會「學術研發服務網」製作；計畫類別：「專題類 - 隨到隨審計畫 - 一般策略專案計畫」；研究型別點選「整合型計畫」；計畫歸屬點選「工程處」；學門代碼：「E9884-高效能化合物半導體前瞻技術研究」。

三、本計畫未獲補助案件恕不受理申覆。

四、本案聯絡人：

(一)有關計畫相關問題，請洽國科會工程處李明霏助理研究員 Tel：(02)2737-7437 E-mail：mflee@nstc.gov.tw。

(二)有關計畫申請系統操作問題，請洽國科會資訊處系統服務專線：Tel：(02)2737-7590、7591、7592。