國科會與美國國家科學基金會(NSF)共同徵求2023-2026 年「臺美先進半導體晶片設計與製作合作研究計畫(ACED Fab Program)」，自即日起至2023年1月17日受理申請
一、為鼓勵臺美雙方學者在半導體及微電子領域之學術合作，並培育晶片設計實作人才，國科會與美方(NSF)依2022年8月22日簽署合作備忘錄及執行協議，共同徵求旨揭計畫，並與美方NSF於2022年11月15日及23日共同舉辦「臺美先進系統晶片設計(ACED Fab)學術研討會(線上會議)」，美國NSF公告網址：https://beta.nsf.gov/funding/opportunities/advanced-chip-engineering-design-and-fabrication-aced-fab
二、摘要如下：
(一)補助計畫類型：雙邊協議專案型國際合作研究計畫(Joint Call)，雙方組成合作研究團隊，共同合作進行本項研究計畫。
(二)臺方計畫主持人及共同主持人資格：須符合國科會專題研究計畫主持人及共同主持人資格，且僅限申請及參與一件計畫。
(三)計畫收件及審查時程：
１、第一階段：臺方計畫主持人應配合美方計畫主持人，於 2022年12月13日前，繳交申請案構想書(RCO)，相關格式依美方規定辦理，並同時以電子郵件寄送臺方聯絡人，據與美方核對申請資料。
２、於美方計畫主持人所提構想書獲美方(NSF)正面回應後，始得共同提出完整計畫書(Full Proposal)，計畫書須由臺灣及美國雙方計畫主持人共同研議完成並提出中、英文合作申請書，分別提送國科會及美國國家科學基金會(NSF)，始得成案。
３、第二階段：完整計畫申請書受理至2023 年 1 月 17 日(週二)止(校內受理至2023 年 1 月 13日(週五)中午12時止)，申請機構須於截止期限前由國科會專題計畫系統彙整送出，並將申請名冊函送國科會。
４、美方審查推薦案經臺美雙方共同討論後選定補助計畫，並分別予以補助。
５、公告核定日期：2023 年 6 月底前。
６、計畫執行期間：自 2023 年 7 月 1 日至 2026 年 6 月 30 日，申請時請以三年期計畫進行規劃與撰寫計畫內容。
(四)計畫經費：
１、專案計畫預算：臺方專案預算為每年新臺幣3,000萬元，期程為3年。預算經費之50% 將使用於晶片下線費用，另案核定補助國研院半導體研究中心。
２、計畫補助額度：本專案將擇優補助選定之計畫，每年以不超過新臺幣700萬元為原則，晶片下線費用以外之研究經費部分，由計畫主持人提出申請，每年以不超過350萬元為原則。
(五)線上申請計畫類別：隨到隨審-雙邊協議專案型國際合作計畫（Joint Call）
四、聯絡方式：科教國合處 李蕙瑩研究員 / 電話：02-2737-7150 / Email: vvlee@nstc.gov.tw；工程處 梁雁惠助理研究員 / 電話：02-2737-7525 / Email: yhliang@nstc.gov.tw
校內收件截止日:
第二階段完整計畫申請書本校受理截止至2023 年1月13日(週五)中午12時止
國家科學及技術委員會111年9月28日科會科字第1110060546號函.pdf
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